一種4H-SiC像素肖特基輻射探測器及其制備方法
- 英文名稱：4H - SiC pixel Schottky radiation detector and preparation method thereof
- 專利號：ZL 201910499916.9
- 專利類別：發(fā)明授權(quán)
- 專利證書號：
- 申請?zhí)枺?/span>CN201910499916.9
- 發(fā)明人：梁曉華; 夏曉川; 韓沖; 梁紅偉; 崔興柱
- 其它發(fā)明人：
- 申請日期：2019-06-11
- 授權(quán)日期：2021-09-21
