8月18日，高能同步輻射光源（HEPS）儲存環(huán)流強達到12毫安，這是HEPS建設的又一重要里程碑，標志著HEPS加速器進入了調束快行道。
HEPS是我國及亞洲首臺第四代同步輻射光源，也是全球首批10皮米弧度量級自然發(fā)射度的光源之一，其核心是一臺具有極低發(fā)射度的全新儲存環(huán)加速器，物理設計極具挑戰(zhàn)性。在國際通用的混合多彎鐵消色散結構基礎上，HEPS加速器設計團隊創(chuàng)新性地融合了包含縱向梯度二極鐵和反向彎轉二極鐵的新型單元節(jié)等多項創(chuàng)新設計，完成了國際已建及在建同類光源中自然發(fā)射度指標最高的儲存環(huán)設計方案。同時，HEPS還首次提出并采用了基于增強器高能累積的置換注入方案，為高電荷量束團置換注入開辟了新路徑。
HEPS工程總指揮潘衛(wèi)民研究員指出，“為了實現(xiàn)國際一流的加速器及光源整體性能，磁鐵、電源、真空、注入、機械、準直、高頻、束測、控制、定時、插入件等硬件指標要達到第四代光源的高標準和高要求。調束初期，儲存環(huán)就有1776塊磁鐵，2500余臺電源，578個電子束流位置探測器，1360米真空室，3個高頻腔，2臺脈沖沖擊器和切割磁鐵，控制信號超過10萬路，任何一個微小的硬件錯誤，例如一個硬阻攔或設備安裝錯位，都會影響電子束的軌跡，另外，HEPS與眾不同，它有注入和引出兩塊切割磁鐵，垂直物理孔徑僅兩三個毫米，對調束來說，這無疑是一個巨大的挑戰(zhàn)”。
經(jīng)過5年的建設，今年7月1日HEPS儲存環(huán)完成全部設備研制和安裝，啟動多系統(tǒng)聯(lián)合調試，隨后加速器物理與各硬件系統(tǒng)交叉協(xié)作，完成磁鐵極性測試、硬件遠控測試、調束軟件-硬件測試等加速器聯(lián)合調試。此外，為了應對超低發(fā)射度儲存環(huán)首圈調束可能面臨的各種挑戰(zhàn)，加速器物理與束測系統(tǒng)基于增強器開展了大量的束流實驗，為儲存環(huán)調束監(jiān)測手段做了充分準備。
7月23日12點45分，各系統(tǒng)認真核查，并完成開機準備單簽署后，HEPS儲存環(huán)正式開機調束。當天，開機僅三個小時即實現(xiàn)了單束團電子束的高能輸運線傳輸及儲存環(huán)首次在軸注入，隨后成功實現(xiàn)單束團電子束繞儲存環(huán)首次循環(huán)貫通。
開機以來，HEPS加速器部副主任焦毅研究員帶領平均年齡僅34歲的調束團隊，每天24小時不間斷地進行調束。他提到，儲存環(huán)調束面臨物理孔徑嚴格限制（兩臺切割磁鐵處垂直物理孔徑僅±2.5 毫米）、動力學孔徑?。s1 毫米）、軌道響應非線性顯著、可調變量極多（僅校正子即有1000多個變量）、調束初期束流狀態(tài)監(jiān)測精度受限等多重困難和挑戰(zhàn)，調束團隊成員通力協(xié)作，各自發(fā)揮所長，通過采用逐校正子強度掃描、校正子組合搭配、工作點調節(jié)、高頻頻率及其他參數(shù)優(yōu)化、脈沖元件參數(shù)掃描、注入延時調節(jié)、注入束參數(shù)優(yōu)化、六極鐵強度優(yōu)化、局部軌道調節(jié)等能想到的各種手段，克服了各項困難和挑戰(zhàn)。
8月6日凌晨，HEPS儲存環(huán)首次成功實現(xiàn)單束團束流存儲。隨后啟動多束團注入調試，并通過斜四極鐵強度調節(jié)、全局及局部閉軌測量與校正、注入束電荷量及穩(wěn)定性優(yōu)化等手段，持續(xù)提升存儲流強和束流壽命。
8月18日，儲存環(huán)成功存儲35個束團，流強達到12毫安。潘衛(wèi)民表示，“儲存環(huán)成功實現(xiàn)束流存儲是一項重大進展，這表明我們前期的設備安裝、調試非常成功，也標志著HEPS光源進入了一個新的階段?！?
HEPS科學技術委員會主任、儲存環(huán)調束總顧問陳森玉院士在親自參加調束后表示，“HEPS儲存環(huán)僅有毫米級的動力學孔徑，加上注入引出區(qū)存在兩個垂直方向±2.5毫米的物理孔徑限制，其調束任務是異常艱巨的。HEPS調束團隊在很短的時間內(nèi)就取得了很好的調束成果，可以說幾乎沒有走一點彎路，表現(xiàn)出色”。
在接下來的幾個月內(nèi)，HEPS調束團隊將再接再厲，提升和優(yōu)化電子束流流強、壽命等參數(shù)，力爭盡早為光束線站供光。
HEPS是我國“十三五”期間優(yōu)先建設的國家重大科技基礎設施之一，是國家發(fā)展改革委批復立項，中國科學院、北京市共建懷柔科學城的核心裝置，由中國科學院高能物理研究所承擔建設，于2019年6月啟動建設，建設周期6.5年。目前，HEPS直線加速器、增強器已滿能量出束，儲存環(huán)正在束流調試，光束線站正在加緊設備安裝。建成后，HEPS可發(fā)射比太陽亮度高1萬億倍的光，將是世界上亮度最高的第四代同步輻射光源之一，也將是中國第一臺高能量同步輻射光源，使中國繼歐、美之后躋身為世界三大第四代高能同步輻射光源所在地之一，將與我國現(xiàn)有的光源形成能區(qū)互補，面向航空航天、能源環(huán)境、生命醫(yī)藥等領域用戶開放。
附：儲存環(huán)調束進展記錄
7月23日，HEPS儲存環(huán)開機調束，開機后三小時內(nèi)，實現(xiàn)了單束團電子束的高能輸運線傳輸及儲存環(huán)首次在軸注入，并通過使用基于自主開發(fā)的物理調束軟件框架Pyapas的半自動束流首圈軌跡調節(jié)程序，在實現(xiàn)電子束首次注入后不到五個小時的時間內(nèi)，成功實現(xiàn)了電子束在儲存環(huán)上的首圈貫通。
7月29日，單束團電子束循環(huán)超過10圈；隨后逐步開啟高頻腔、增加六極鐵強度，以補償束流同步輻射能量損失、自然色品。
8月6日，成功實現(xiàn)單束團電子束存儲，流強約60 微安，壽命超過1 分鐘，隨后開始多束團注入調試。
8月18日，成功存儲35個束團，流強達到12毫安。
附錄：HEPS加速器相關技術水平
為了實現(xiàn)國際一流的加速器及光源整體性能，磁鐵、電源、真空、注入、機械、準直、高頻、束測、控制、定時、插入件等硬件指標要達到當前所能達到的最好水平。
在磁鐵技術方面，HEPS縱向梯度二極磁鐵采用了節(jié)能環(huán)保的永磁方案，積分磁場離散性達到±5×10-5，比第三代光源小一個數(shù)量級，達到國際領先水平；超高梯度四極磁鐵的磁場梯度達到80 T/m，是第三代光源的4倍。
在準直技術方面，HEPS預準直首次采用多路激光邊長交會測量法，在5m范圍內(nèi)穩(wěn)定實現(xiàn)了4μm絕對測量精度，儲存環(huán)精準直全面測量在1360m狹長隧道空間實現(xiàn)了絕對0.2mm、相對0.02mm的超高測量精度，首次研發(fā)了基于束流理論軌道和絕對偏差的偏差平滑法，達到國際最好水平。
在束測技術方面，HEPS束流位置測量系統(tǒng)全部實現(xiàn)國產(chǎn)化，自主研發(fā)的數(shù)字束流位置電子學實驗室測試結果優(yōu)于10 nm，達到國際先進水平；成功建設束流截面診斷束線，可實現(xiàn)微米級束團截面的精確測量，分辨率較三代光源提升一個量級。
在磁鐵電源技術方面，HEPS電源實現(xiàn)了高精度全數(shù)字化閉環(huán)控制。HEPS儲存環(huán)四極磁鐵電源，基于軟開關拓撲等創(chuàng)新，輸出電流長期穩(wěn)定度優(yōu)于10ppm，重復性優(yōu)于20ppm，準確度優(yōu)于50ppm，比第三代光源小一個數(shù)量級；快校正磁鐵電源，采用多電平逆變的拓撲結構等先進設計，小電流階躍響應時間優(yōu)于75μs，輸出電流紋波優(yōu)于20ppm，達到國際先進水平。
在真空技術方面，為了適應緊湊型多彎鐵消色散磁聚焦結構設計，HEPS儲存環(huán)全面采用了小孔徑真空盒（最小內(nèi)徑8 mm），以及全新的真空盒內(nèi)壁非蒸散型吸氣劑（NEG）鍍膜技術。
在注入技術方面，HEPS采用相比第三代光源全新的在軸注入方案，并實現(xiàn)關鍵設備的全國產(chǎn)化。切割磁鐵采用原創(chuàng)的半真空結構形式，切割板厚度2mm，磁鐵場強為1T，達到國際領先水平；自主研發(fā)的超快脈沖電源，脈沖底寬小于10ns，脈沖電壓幅度大于±15kV，達到國際先進水平。
在磁鐵單元的機械支撐技術方面，HEPS自主研發(fā)了高剛性的精密楔形調節(jié)機構、高彈模混凝土基座及其環(huán)氧灌漿安裝工藝等，本征頻率達到70Hz，是第三代光源的3倍；同時運動分辨率達到1μm，為目前國內(nèi)外同尺度設備達到的最高指標。
在高頻技術方面，HEPS自研的數(shù)字低電平系統(tǒng)以及自主開發(fā)的高頻控制軟件，在控制穩(wěn)定度方面與國際最好水平相當；全國產(chǎn)的260kW全固態(tài)功率源，性能指標和功率等級均達到國際水平；全國產(chǎn)的500MHz超導腔，綜合性能指標達到國際最好水平；成功自主研制的166MHz超導腔，是國際上首臺用于加速近光速粒子的四分之一波長主動型超導腔，實現(xiàn)了高階模式的深度抑制，即將安裝在儲存環(huán)上以進一步提升束流流強。
在定時控制方面，HEPS基于micro TCA的事件定時技術，實現(xiàn)了多環(huán)的靈活注入引出及升降能控制，同步精度在1.5公里范圍內(nèi)達到30 ps，關鍵設備達到10 ps以下；在電源控制方面，采用微服務及容器化布署，解決了2300余臺數(shù)字化電源的實時控制難題，電源同步控制延時低于4ms；處于國際先進水平。
在插入件技術方面，HEPS成功研制了國際上周期長度最短的低溫波蕩器CPMU12，關鍵指標包括相位誤差和多極場誤差等均處于世界領先水平。此外，為滿足大視場X射線診斷和探傷的用戶需求，在國際上率先提出并研制了芒果型扭擺磁鐵；在國際上首次設計和制造四陣列Apple Knot型波蕩器，具有低熱負載、極化可調等優(yōu)點。
HEPS儲存環(huán)束流狀態(tài)圖，8月18日，儲存環(huán)束流流強達到12毫安
儲存環(huán)調束團隊正在緊張工作
HEPS儲存環(huán)隧道內(nèi)
HEPS航拍圖（2024年8月拍攝）
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