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2019

原子水平解析光催化反應(yīng)中最優(yōu)和過量摻雜的作用:以少層Cu-ZnIn2S4為例

文章來源: 發(fā)布時(shí)間:2020-07-08 【字體:      

  外部異質(zhì)原子的摻雜可以在帶隙中形成中間態(tài)或改變電子結(jié)構(gòu)從而提升光催化劑的活性,這成為改進(jìn)傳統(tǒng)光催化劑的常見策略。然而,最優(yōu)和過量摻雜引起的原子結(jié)構(gòu)改變和摻雜位點(diǎn)作用機(jī)理仍沒有探究清楚,南開大學(xué)環(huán)境科學(xué)與工程學(xué)院的課題組對(duì)其進(jìn)行深入探究。相關(guān)的研究成果發(fā)表在2019年1月7日的《Advanced Functional Materials》上。 

  該研究組從原子水平出發(fā),設(shè)計(jì)合成了具有較高的比表面積Cu摻雜三元硫化物ZnIn2S4超薄二維材料,以Cu-ZnIn2S4超薄二維材料為模型催化劑,通過光催化產(chǎn)氫活性研究異質(zhì)原子最佳和過量摻雜的作用機(jī)制。結(jié)果表明,當(dāng)晶格中0.5wt% Cu取代Zn原子時(shí),為最優(yōu)Cu摻雜量,并以4配位形成Cu-S4位點(diǎn)。Cu原子的介入使得電子受體態(tài)更靠近價(jià)帶(VB)最大值,確保更高的電子密度和更高效的載流子傳輸,獲得最高產(chǎn)氫速率26.2 mmol h-1g-1,且420 nm處的量子效率為4.76%。然而,當(dāng)摻雜量達(dá)到3.6wt% 時(shí),造成過量Cu摻雜,導(dǎo)致原子結(jié)構(gòu)畸變,形成Cu-S3.6配位位點(diǎn),使VB最大值大幅上移。這帶來大量的電荷重組,隨之而來的是活性降低。這項(xiàng)工作為元素?fù)诫s研究帶來新的視角,使超薄2D光催化材料的發(fā)展邁出了重要一步。   

 

  課題組利用北京同步輻射裝置(BSRF1W1B-XAFS實(shí)驗(yàn)站獲取的X射線吸收譜獲得了Cu-ZnIn2S4原子結(jié)構(gòu)和摻雜元素精確配位環(huán)境,從微觀層面上對(duì)最優(yōu)和過量摻雜機(jī)制進(jìn)行深入的研究,有助于從實(shí)驗(yàn)和理論上闡明反應(yīng)過程中的原子行為,對(duì)理解反應(yīng)位點(diǎn)的作用機(jī)制有著至關(guān)重要的作用。EXAFS結(jié)果表明不同比例Cu-ZnIn2S4峰的位置(1.8?)都和CuS中的Cu原子相似,和Cu2S不同,這表明Cu-S鍵與CuS相似;EXAFS擬合結(jié)果得到CuCu0.5-ZISCu3.6-ZIS中的定量結(jié)構(gòu)配位,Cu0.5-ZIS仍保持金屬-S4配位,而Cu3.6-ZISCu-S3.6配位,與CuS相似。 

  

 

  該研究在原子尺度上揭示了最佳和過量的摻雜結(jié)構(gòu),闡明了結(jié)構(gòu)與光催化性能之間的關(guān)系。并實(shí)現(xiàn)材料可控的合成和再生,進(jìn)一步拓展了摻雜工程新策略。在這項(xiàng)研究工作中,同步輻射光源幫助該研究組解開了原子水平的結(jié)構(gòu)和配位環(huán)境。南開大學(xué)環(huán)境科學(xué)與工程學(xué)院副院長、該研究組組長展思輝教授這樣描述他們的工作:“異質(zhì)原子摻雜過程中的原子結(jié)構(gòu)和失活機(jī)理極其復(fù)雜,由于受到表征手段的限制,許多相關(guān)科學(xué)問題至今仍未得到清楚的解答,因此同步輻射正成為研究納米材料的一種強(qiáng)有力的工具,為納米材料的結(jié)構(gòu)和性能表征提供廣闊的平臺(tái)?!?/span> 

  發(fā)表文章: 

  Pengfei Wang, Zhurui Shen, Yuguo Xia, Haitao Wang, Lirong Zheng, Wei Xi, and Sihui Zhan*. Atomic Insights for Optimum and Excess Doping in Photocatalysis: A Case Study of FewLayer CuZnIn2S4, Adv. Funct. Mater., 2019, 29, 1807013.

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