電介質(zhì)吸波材料在電磁波吸收領(lǐng)域占有重要位置，但不同電介質(zhì)材料的電損耗機制，以及其主導(dǎo)損耗機制，均存較多盲區(qū)，這就使得研究人員在設(shè)計吸波材料、研究損耗機理時缺乏強有力的理論支撐。南京航空航天大學的一個研究組對典型電介質(zhì)材料的損耗機理進行了深入的研究，相關(guān)的研究成果發(fā)表在2019年5月8日的《Advanced Functional Materials》上。 

　　該研究組選取了兩種典型的電介質(zhì)吸波材料，金屬氧化物半導(dǎo)體和石墨化碳材料。通過缺陷工程在兩類電介質(zhì)材料中引入點缺陷，繼而通過調(diào)控點缺陷來修飾材料的電導(dǎo)和極化過程。電導(dǎo)率和極化的變化引起了材料電導(dǎo)損耗和介電極化的改變，再結(jié)合最終的介電行為，可以得出在不同的電介質(zhì)材料中的主要損耗機制和主導(dǎo)損耗機制。 

　　利用北京同步輻射裝置1W1B-XAFS實驗站獲得的NEXAFS譜分析了氮原子摻雜后碳原子周邊的化學環(huán)境，通過對比三種不同的氮摻雜的碳原子的C邊緣光譜吸收，發(fā)現(xiàn)氮原子摻雜后碳原子的化學狀態(tài)變化明顯，表明氮原子摻雜對石墨化碳的介電極化有著很大的作用。 

　　這個研究為探究電介質(zhì)吸波材料的損耗機理提供了很好的借鑒，在同步輻射裝置的支持下，后續(xù)定能對電介質(zhì)吸波材料的損耗機理進行更加深入的研究和剖析。 

　　發(fā)表文章： 

　　B. Quan, W. H. Shi, S. J. H. Ong, X. C. Lu, P. L. Y. Wang, G. B. Ji, Y. F. Guo, L. R. Zheng, Z. C. J. Xu, DefectEngineering in Two Common Types of Dielectric Materials for ElectromagneticAbsorption Applications. Advanced Functional Materials, 2019, 29 (28), 1901236.